上海续波光电技术有限公司
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化学束外延起源于上个世纪80年代，它结合了分子束外延（MBE）和化学气相沉积（CVD）技术的优点，适用于生长III-V族半导体薄膜，也可以用于Si,SixGe1-x,FeSi2薄膜沉积,以及氧化物薄膜，包括但不限于LiTaO3,超导氧化物,TiO2,Al2O3,掺铒Al2O3,Y2O3,CdO,HfO2,LiNbO3,MgO,ErSiO,ZnO,ZrO2等
化学束外延起源于上个世纪80年代，它结合了分子束外延（MBE）和化学气相沉积（CVD）技术的优点，适用于生长III-V族半导体薄膜，也可以用于Si, SixGe1-x, FeSi2薄膜沉积, 以及氧化物薄膜，包括但不限于LiTaO3, 超导氧化物, TiO2, Al2O3, 掺铒Al2O3, Y2O3, CdO, HfO2, LiNbO3, MgO, ErSiO, ZnO, ZrO2等。
化学束外延借用CVD（反应前驱体分子通过气相传输到加热衬底上）及MBE（前驱体流分子束本质——分子轨迹视线）的概念。一般说来，化学束外延的真正价值在过去并未得到承认，大多数熟悉这种技术的人都发现化学束外延很复杂，并且上世纪90年代化学束外延的各种优势的结合未被*挖掘，而这种结合却是现在制造复杂设备的关键所在。目前，我们代理的设备是经过20年的持续不断研发，将设简单易用、工艺优化、所有的优点和设施集中于一套可靠的设备中。
实验证明化学束外延具有显著的优点，例如：
• 可控多元素材料沉积及掺杂，例如GaAsInP
• 6’’衬底均匀性：无旋转+/-1.5%，旋转+/-0.5% • 沉积大面积薄膜：直径100mm - 450mm或更大
• 前驱体转化率高，生长速率10 nm/h至20μm/h • 欧盟项目支撑: 3D-DEMO, NUOTO, NANOBIUM
• 已经商业化薄膜: TiO2, Al2O3, Ta2O5, Nb2O5, HfO2 • 超高真空原位诊断技术、自组装结构、工艺温度很低
• 可以一步实现复杂形状和（成分/厚度）梯度薄膜材料 • 无气相反应、工艺灵活（从外延生长到高度多孔材料）
• （激光，EUV，X-ray）光束/离子束/电子束辅助沉积， 用于3D打印、复杂材料堆栈、
组织/晶相/成分选择性调控、 改善外延和材料性能、降低热应力和晶格失配
设备配置：
1. 热漆外框架容纳所有元件，标准RAL7035颜色； 2. 支持多达6种前驱体，专有热源技术可达200℃；
3. 主要反应腔体采用可调热内壁，圆柱形液氮冷阱围绕样品台；可远程控制，电脑监控各种参数；
4. 辐射加热衬底温度可达700℃，其他加热器支持衬底温度可达1400℃；
5. 真空系统用组合泵：250l/s分子泵+10m3/h干泵； 6. 配备全自动Load-Lock，等离子体清洗功能可选。
7. 在样品生长过程中激光/电子/离子束辐照单元。
8. 可逆组装：（无衬底旋转）均匀性优于±2%，（有衬底旋转）均匀性优于+/-0.5%；组合配置用以生长梯度样品：
厚度梯度支持1个前驱体，化学成分梯度支持2-6个。两种方式通过程序控制切换。
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