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InGaAs雪崩光电二极管

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具体成交价以合同协议为准

产品型号InGaAs APD

品       牌

厂商性质生产商

所  在  地深圳市

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更新时间:2018-05-16 10:06:03浏览次数:1586次

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光电探测器,具有体积小,相应度高等特点,适合于微弱光信号检测。

InGaAs雪崩光电二极管

     特点:                        
       高速
       平面正照型
       TO-Can封装或带尾纤输出
       zui大可用增益达到20

     应用:
       光通讯接收设备
       CATV接收机
       OTDR
     光电特性(T = 22℃):

参    数符号测试条件zui小值典型值zui大值
光谱响应范围(nm)λ 1000 1700
光敏面直径(um)  φ50
响应度(A/W)Reλ=1.55um,M=10,φ=1uw88.5 
击穿电压(V)VBRID=100uA, φ=030 60
击穿电压温度系数(V/℃)δTC=-40~+85℃ 0.10.15
暗电流(nA)IDM=10, φ=0 110
总电容(pF)CtotM=10, φ=0,f=1MHz 0.61
响应时间(ns)fTM=10, φ=0, λ=1.55um0.150.30.5
zui大可用增益MmaxVR=0.98VBR20  
*工作电压(*Vbr)VRM=10, φ=1, λ=1.55um0.9 0.95

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