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  • IGBT静态参数测试系统 电子/半导体检测仪器

ENJ30200 IGBT静态参数测试系统 电子/半导体检测仪器

参考价
面议
具体成交价以合同协议为准
  • 型号ENJ30200
  • 品牌
  • 所在地西安市
  • 更新时间2022-11-01
  • 厂商性质生产厂家
  • 所在地区苏州市
  • 实名认证已认证
  • 产品数量7
  • 人气值120
产品标签

IGBT

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 德谊邦电子科技(苏州)有限公司为国家*产业园、江苏省政府重点支持的*。公司以自主研发生产的“大功率半导体分立器件测试系统”系列产品为主导,并代理部分国外厂商的测试产品,全面丰富优化了产品种类。

       公司主要成员来自航天、航空、半导体及微电子相关的研究院所,为公司的技术创新和可持续发展提供了有力保障。

公司产品覆盖IGBT动态/静态测试系统,大功率半导体分立器件测试系统、功率器件图示系统、晶体管图示仪、热阻、雪崩、浪涌等。

      产品广泛应用于科研院所、能源、电力电气、交通、船舶制造、*、理工类院校等诸多领域。并提供客户相关的技术服务。安装、训练、维修、保养及仪器之应用技术指导。 以其高品质的产品和服务深获客户好评,并承蒙业界之支持与爱护, 得以不断稳定成长。

主要产品:
        YB6800功率半导体测试系统
        YB6600大功率半导体图示系统
        YB6500大功率多用途半导体分立器件测试系统
        YB6200半导体分立器件综合参数测试系统
        YB6100半导体分立器件测试系统
        YB6050半导体分立器件测试仪
        YB6030通态压降测试仪
        YB6020可控硅测试仪
        YB6010场效应管测试仪
        YB580IGBT测试系统
        YB560机械手测试选件
        YB550高精度半导体分立器件参数测试选件
        YB540三端稳压测试仪
        YB530瞬态抑制测试仪
        YB520继电器综合参数测试仪
        YB510光电耦合测试仪
并代理英国ABI集成电路测试仪,模拟电路测试仪,数字电路测试仪,多功能电路板综合诊断测试仪等各种测试等多种大功率半导体分立器件测试设备供用户选择使用。

点击展示更多内容
产地国产 加工定制
● 针对 IGBT 的各种静态参数而研制的智能测试系统

● 大功率(I V zui大可扩展至4500A、6000V)

● 自动化程度高(按照操作人员设定的程序自动工作)

● 计算机记录测试结果,测试结果可转化为文本或 EXCEL 格式存储

● 采用品牌工控机,具有抗电磁*力强,排风量大等特点

● 测试方法灵活(可*测试器件以及单个单元和多单元的模块测试)

● 安全稳定(PLC 对设备
IGBT静态参数测试系统 电子/半导体检测仪器 产品详情

ENJ30200 IGBT静态参数测试仪

系统特征:

● 针对 IGBT 的各种静态参数而研制的智能测试系统

● 大功率(I V zui大可扩展至4500A、6000V)

● 自动化程度高(按照操作人员设定的程序自动工作)

● 计算机记录测试结果,测试结果可转化为文本或 EXCEL 格式存储

● 采用品牌工控机,具有抗电磁*力强,排风量大等特点

● 测试方法灵活(可*测试器件以及单个单元和多单元的模块测试)

● 安全稳定(PLC 对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁)

控制系统:

计算机控制系统

       计算机控制系统是该测试设备的中心控制单元,设备有一部分的工作程序、工作时序、开关的动作状态,数据采集等均由计算机完成。计算机

采用研华工业控制机,具有抗电磁*力强,排风量大等特点。

       计算机中,装有美国国家仪器公司生产的数据采集卡NI PCI6221卡2块,NI PCI6221是一块多功能的数据采集卡,具有三组数据端口,16/8个模拟

量输入端口,两个模拟量输出口、两个定时器计数器。

PLC控制系统

        控制系统除工控机外,还采用了欧姆龙系列的PLC,PLC主要对设备的工作时序、开关动作等进行控制,并且与计算机进行通讯,完成了整个系

统的自动控制功能;PLC不仅控制开关的动作,而且对系统中主要开关的工作状态进行实时监控,并与硬件进行互锁,实现了可靠的安全控制功能。

参数条件:

①栅极-发射极漏电流IGES

④集电极-发射极截止电流ICES

IGES: 0.1-10uA±3%±0.1uA

集电极电流ICES: 0.1-30mA±5%±0.01mA

集电极电压VCE: 0V

集电极电压VCE: 100-3500V±5%(选配)

栅极电压 VGE: 20V ±3%±0.2V

栅极电压VGE:0V

②集电极-发射极电压BVCES

⑤栅极-发射极阀值电压测试VGETH

集电极电压VCES: 100-3500V±5%±10V(选配)

VGETH: 0.1-10V±3%±0.1V

集电极电流ICES: 0.1-30mA±5%±0.01mA

VGE=VCE

栅极电压 VGE: 0V

集电极电流ICE: 30mA±3%

③集电极发射极饱和电压VCESAT

⑥二极管压降测试VF

VCESAT:0.1-10V

VF: 0.1-5V±3%±0.01V     

栅极电压VGE:±15V±2%±0.2V

栅极电压VGE:0V

集电极电流ICE:50-600A±5%(选配)

电流IF:50-600A±5%(选配)

 

导通电流IC: 50-600A±5%

 

栅极电压VGE: ±15V±0.2V

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