雪崩能量测试仪 itc55100替代产品
Si/SiC/GaN 材料的 DIODE、MOSFET、IGBT雪崩能量测试仪
单脉冲雪崩能量 EAS 1uJ~5000mJ（VDS电压＞600V条件下）
单脉冲雪崩电流 IAS 1A~500A（VDS 电压＞600V 条件下）
单脉冲雪崩功率 PAS 1W~600KW（VDS 电压＞600V条件下）
产品系列
晶体管图示仪
半导体分立器件测试筛选系统
静态参数测试（包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等）
动态参数测试（包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等）
环境老化测试（包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等）
热特性测试（包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等）
可测试 Si/SiC/GaN 材料的IGBTs/MOSFETs/DIODEs/BJTs/SCRs等功率器件
欢迎垂询：Tel:173 -4295 -2894
ST-DP_U（1200V200A）
雪崩能量测试仪 itc55100替代产品
Si/SiC/GaN 材料的 DIODE、MOSFET、IGBT
单脉冲雪崩能量 EAS 1uJ~5000mJ（VDS电压＞600V条件下）
单脉冲雪崩电流 IAS 1A~500A（VDS 电压＞600V 条件下）
单脉冲雪崩功率 PAS 1W~600KW（VDS 电压＞600V条件下）
双脉冲雪崩**....................................................................................
♦雪崩能量测试仪 itc55100替代产品产品简述
ST-DPX 系列产品是主要针对 半导体功率器件的动态参数测试 而开发设计。通过DUT适配器的转换，可测试各类封装外观的 IGBTs，MOSFETs，DIODEs等功率器件，包括器件、模块、DBC衬板以及晶圆。产品功能模块化设计，根据用户需求匹配功能单元。测试功能单元有DPT（双脉冲测试 Double Pulse Testing，以下简称DPT。包含开通特性、关断特性、反向恢复特性）栅电荷、短路、雪崩、结电容、栅电阻、反偏安全工作区等。测试方案*符合IEC60747-9标准。
产品功能及输出功率进行了模块化设计，满足用户潜在的后期需求，*高测试电压电流可扩展至10KV/10KA，变温测试支持常温到200℃，支持生产线批量化全自动测试。
♦产品特点
测试系统电压以1500V为一个模块，电流以2000A为一个模块，可扩展至10KA/10KV
内置7颗标准电感负载可选用, 另有外接负载接口,可实现不同电感和电阻负载测试需要(20/50/100/200/500/1000/2000uH)
另有程控式电感箱可供选择
针对不同结构的封装外观，通过更换 DUT适配器即可
可进行室温到200℃的变温测试,也可实现子单元测试功能
测试软件具有实验模式和生产模式，测试数据可存储为Excel文件
门极电阻可任意调整, 系统内部寄生电感为*小至50nH
系统测试性能稳定,适合大规模生产测试应用（24hr 工作）
安全稳定（PLC 对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁）
系统具有安全工作保护功能，以防止模块高压大电流损坏时对使用者造成伤害，设计符合CE认证
支持半自动和全自动测试
采用品牌工控机，具有抗电磁*力强，排风量大等特点
自动化：单机测试时只需手动放置DUT，也可连接机械选件实现自动化测试线
智能化，通过主控计算机进行操控及数据编辑，测试结果自动保存及上传局域网
安全性，防爆，防触电，防烫伤，短路保护等多重保护措施，确保操作人员、设备、数据及样品安全。
♦参数指标
欢迎垂询：Tel:173 -4295 -2894
