MDPpicts 温度依赖的光感应电流瞬态图谱检测-仪表网

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MDPpicts温度依赖的光感应电流瞬态图谱检测MicrowaveDetectedPhotoInducedCurrentTransientSpectroscopy微波探测的光感应电流瞬态图谱检测，非接触且无损伤，用于温度依赖的少数载流子寿命测量以及半导体的界面陷阱和体陷阱能级的电性能表征

MDPpicts 温度依赖的光感应电流瞬态图谱检测产品详情

MDPpicts 温度依赖的光感应电流瞬态图谱检测

Microwave Detected Photo Induced Current Transient Spectroscopy

微波探测的光感应电流瞬态图谱检测，非接触且无损伤，用于温度依赖的少数载流子寿命测量以及半导体的界面陷阱和体陷阱能级的电性能表征。

灵敏度：对电子缺陷表征的灵敏度

图1. 与温度有关的载流子发射瞬态

温度范围：液氮(77k)至500k。可选:液氦(4k)或更高温度
衰变常数范围：20纳秒到几毫秒
污染测定：测量基础的陷阱能级：陷阱的活化能和俘获截面，基于温度和注入的寿命测定
重复性：> 99.5%，测量时间：< 60分钟。液氮消耗：2升/次
弹性：可从不同波长(从365nm到1480nm)选择不同种类的材料
可访问性：基于IP的系统允许来自世界任何地方的远程操作和技术支持

从Arrhenius斜率(图3)可以确定活化能。

利用这种新型的商用MDPpicts设备，可以在20~500k范围内测量温度依赖性的光电导瞬态。在过去，Si, GaAs, InP, SiC和更多的半导体已经成功采用了这种方法进行研究。

图2. 不同ID的评价

图3.Arrhenius曲线图

图4. 不同温度的Cz-Si晶圆片的MD-PICTS图谱

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