ITC55100雪崩能量测试仪是原成功产品ITC5510的升级版本，它能执行ITC5510系列的所有测试，同时增加了许多功能，如提高测试精度，测试结果的收集，查看测试结果，连接多个被测品。ITC55100可以用来对功率MOSFET和IGBT的耐用性测试。 它还能测试单，双二极管，使用ITC55 RSF输出选择器盒还可以测量IGBT的正向和反向偏置。
测试模式
单脉冲松开电感的开关（UIS）
单脉冲雪崩应力（EAS）
重复性雪崩能量（EAR）
重复脉冲故障（RPF）
执行的测试
连续性测试装置的插座和/或接触
DC零栅极偏置漏 - 源泄漏测试
- 前，后的雪崩
功能设备测试
雪崩测试
特点
单路/双路设备测试
N沟道，P沟道，混合
全固态切换 - 无需继电器
更快的测试
电流范围：0.1A至200A，0.1A步骤
雪崩电压至2500V
触摸屏程序进入/控制
波形捕获/显示
内部测试程序存储（20个文件）
高速电感充电，减少了测试时间
可编程漏电测试电压
前置/后置雪崩泄漏测试
雪崩折叠测试
多功能测试处理器控制
15硬件排序箱
改进的电压/电流精度
通过Flash下载软件更新
高速RS-485 PTNet接口
控制参数输入密码
使用所有ITC电感负载箱
接口与ITC55MUX4 ITC55 RSF
内置自我测试
安全特性
测试时间
过量的泄漏关闭
外部安全锁定
两个并联的手动启动按钮
不断监测设备的电流。 如果电流超过或未能达到测试终止
或计算时间的可编程水平。
