美Nano-master ALD/PEALD原子层沉积系统：
NLD-4000 独立式ALD系统
NLD-3500 紧凑型独立式ALD系统
NLD-3000 台式ALD系统
NLD-4000是一款独立式计算机控制的ALD系统，全自动工艺控制并包含完整的安全连锁功能，能够沉积半导体应用中的氧化物和氮化物（比如AlN, GaN, TaN, TiN, Al2O3, ZrO2, LaO2, HfO2），支持太阳能和MEMS等众多领域的应用。
系统包含一个13”的铝质反应腔体，具有加热腔壁和气动升降顶盖，可一键式实现顶盖的开启/闭合，便于放取片。随系统配套手套箱，可以支持最多七路加热或冷却的50cc容器用于前驱体或者反应物，并集成了快速脉冲传输阀用于气体脉冲输出。没有反应掉的前驱体将被加热过滤器所捕捉，该过滤器安装在腔体排风口。
工艺程序、温度设定值、气体流量、抽真空卸真空工序，以及传输管路的吹扫均通过LabView软件全自动控制。
选配项包含自动上下片（系统占地面积不变）、远程平面ICP等离子源用于等离子增强ALD（平面ICP的构造确保小的反应腔体容积，这实现更快的循环时间），以及涡轮分子泵用于更低的极限真空。
特点：
** 低于1Å的均匀度
** 优化的13”阳极氧化铝腔体
** 小反应腔体容积确保快速的循环时间并提高产能
** 可支持8”的基片
** 400°C基片加热器
** 随系统配套前驱体手套箱
** 做多支持七路50cc前驱体容器
** 300L/Sec抽速的磁悬浮分子泵组
** 极限真空可达5x10-7Torr
** 快速脉冲气体传输阀
** 大面积过滤器用于捕捉未反应的前驱体
** 高深宽比结构的涂覆
** 全自动计算机控制，菜单驱动
** LabVIEW友好用户界面
** EMO和安全互锁
** 占地面积仅24”x44”带封闭面板的柜体对超净间很理想
选配：
** 下游式平面ICP远程等离子源用于PE-ALD工艺
** RF离子源用于无需要求超高密度的PE-ALD工艺
** 自动上下片
** 增加额外的前驱体
应用：
** 高K介质
** 疏水性涂覆
** 钝化层
** 高深宽比扩散阻挡层的铜连接
** 微流控应用的保形性涂覆
** 燃料电池中诸如催化层的单金属涂覆
