一、公司介绍
1）Picosun – ALD者
“世界上没有一个ALD公司能拥有像Picosun那样的资质。” Picosun的研究历史和背景始于原子层沉积领域研究起步时期。ALD原子层沉积系统是由Dr. Tuomo Suntola 于1974年在芬兰发明的，他现在是Picosun董事会成员之一。Picosun的创建者和技术执行官(CTO)Mr. Sven Lindfors早在1975年已经创造出的ALD系统，他被誉为“世界上经验丰富的ALD反应器设计师”。
Picosun是ALD。及国内。
如今Picosun持续致力于ALD系统研究已经长达50多年，研究团队加在一起具有300多年的最直接的原子层沉积专项技术研究经验。Picosun建立于1997年，核心团队成员都是由具有学术专业水平的科研人员组成，都是ALD方面的专家。Picosun团队，被广泛誉为“的ALD团队”，已经对ALD贡献了100多项，我们与的研究机构和主流的工业单位密切合作，巩固了我们在ALD研究的前沿位置。
2）PICOSUN公司的承诺
芬兰PICOSUN公司ALD系统的设计保证了能够对各种工艺参数的严格控制，确保得到极度均匀、高重复性的高质量薄膜。设备容易操作、高度可靠。
二、R-200 Adv 原子层沉积系统技术指标
1. 腔体：采用双层腔体结构。
1.1 真空腔体：
（1）加热温度≥650℃；
（2）真空腔体无水冷系统；
（3）真空腔体所有接口采用KF法兰和Viton密封圈密封，腔体漏率低于2x10-8mbar.l/s。
1.2 反应腔：
（1）反应腔可沉积200 mm基片1个, 兼容小基片；
（2）反应腔上配备6个独立的前躯体源管路接口，与前躯体源管路连接，前驱体蒸汽相对衬底流动模式为喷洒淋浴模式；
（3）反应腔沉积温度，热工艺沉积温度600 °C。
（4）基片加载采用气动基片加载/卸载系统，由电脑自动控制；
（5）配备颗粒捕捉器及反应残余物燃烧器。
2. 前躯体输运系统：
（1）配备6路独立的前躯体源管路。
（2）配置的质量流量、压力传感器、脉冲阀，采用VCR金属密封方式密封。
（3）每个液态源单独配备帕尔帖（Peltier）温度控制器1套。
（4）加热源具用boosting功能，加热温度不低于300℃。
3. 等离子模块：
（1）配备远程等离子模块，包括匹配网络、等离子体发生器、包括4路等离子气路；
（2）每条管路单独配置的质量流量、压力传感器、脉冲阀；
（3）等离子ALD和热ALD共用一个腔，等离子体发生器与基底必须保持足够距离,功率：100-3000W可调。
4. 真空系统：配备耐腐蚀真空干泵；真空泵抽速≥400m3/h。
5. 预真空系统：预真空腔及其配备单独的干泵，可以传送200 mm (8英寸) 基片,。
6. 控制系统：
(1) 触摸屏PC用于ALD反应器的操作，的控制软件和电子电路；人性化的HMI界面，系统可用于处方recipe 模式或手动模式；
(2) 操作界面友好，具备程序储存、读取功能，能够输出实验数据，显示24个小时内设备系统各部分参数的时间趋势图，包括各部分质量流量、温度、压强的时间趋势图，用于监测设备稳定性；
(3) 沉积过程中监测显示每个源管路的脉冲压强，显示脉冲压强与时间关系图，用于监测脉冲稳定性；
欢迎垂询，电话：,
