蔡司 钨灯丝扫描电镜EVO 10
产品用途:
产品广泛应用于半导体生产、PCB行业、工业测量、医疗技术、材料类等行业的分析与研究,
为用户提供从微米到纳米一直到亚纳米级别的全套解决方案。
性能优势:
1.操作简便–Optibeam模式,快速切换分辨率、视场6mm或景深;
2.超大束流,景深的分析能力;
3.超大样品室,能处理的样品尺寸可达200-300mm直径和100-210mm高–满足大样品的观察需求 ;
4.全自动5轴优中心马达台–具有大的移动范围和的重复精度;
5.X射线几何设计技术–具有业界的8.5mm(35°出射角)的分析工作距离;
6.对于非导电样品,采用BeamSleeve电子束衬管技术 可有效 提高图像分辨率和能谱分析精度;
7.关联显微镜–叠加光镜与电镜图像,得到更多信息,分辨率、颜色、 成分;
8.标配高性能的背散射电子探测器 BSD,增强低电压性能及提供更丰富的形貌信息 。
Specitications规格参数 序号 项目 规格、参数 1 分辨率 3 nm@ 30 kV - SE 2 加速电压范围 0.2-30kV, 10V步进 3 放大倍率 7 - 1,000,000 x(底片倍率) 4 束流 0.5pA–5uA 5 X射线几何条件 EDS分析工作距离为8.5mm,出射角度35° 6 操作模式 具有OptiBeam模式,分为分辨率、高景深、大视野,模式之间不需人工调节参数,可自由转换 7 样品室大小 310mm (Ø) x 220mm (h) 8 样品台 5轴优中心样品台 X =80mm Y=100mm 9 样品台精度 2um 10 试样直径 200mm 11 试样高度 100mm 12 样品室CCD相机 标配原厂CCD相机 13 关联显微镜 可实现蔡司光镜与电镜的结合,利用光镜方便定位的特点,在电镜下可迅速找到感兴趣部位,以后皆可拓展
4 nm@ 30 kV - BSD
T = -10 - 90°
R = 360° (continuous)