- 在低温度下沉积低损伤的薄膜
- 可沉积的典型材料包括: SiO2、Si3N4 、 SiON、Si 和 SiC,衬底温度可低至5ºC
- 65mm、180mm、300mm 尺寸的ICP源 提供了工艺的均匀性
- 晶圆尺寸高至200mm
- 电极的温度范围为5ºC至400ºC
- 已获得ICPCVD气体配送技术
- 实时监测清洗工艺, 并且可自动停止工艺

SiO2 deposited using TEOS and O2 by ICP CVD in ~50μm deep trench 4:1 aspect ratio

SiNx deposited by ICP CVD at room temperature for 22nm T-gate HEMT