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PMDT2010 2000V/2000A双脉冲测试动态参数系统

参考价订货量

1000

≥1台

具体成交价以合同协议为准
  • 型号PMDT2010
  • 品牌普赛斯仪表
  • 所在地武汉市
  • 更新时间2025-05-22
  • 厂商性质生产厂家
  • 入驻年限3
  • 实名认证已认证
  • 产品数量437
  • 人气值77937
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      武汉普赛斯仪表有限公司是武汉普赛斯电子技术有限公司的全资子公司,一直专注于半导体的性能测试仪表的开发、生产销售,致力于满足半导体领域从材料、晶圆到器件测试用科学仪器的国产替代需求。

      基于普赛斯电子领X的光学与光电技术、微弱信号处理与抗干扰技术、高速数字信号处理、核心算法与系统集成等技术平台优势,公司自主研发了高精度台式数字源表、脉冲式源表、窄脉冲电流源、集成插卡式源表、高精度超大电流源、高精度高压电源、数据采集卡等国产化电性能测试仪表,以及mini LED测试系统、电流传感器测试系统、功率器件静态参数测试系统等。产品以其测试精度高、速度快、兼容性强、测试范围宽、可靠性高、操作简便以及快捷灵活的响应式服务等优势,广泛应用于新型半导体器件材料分析、半导体分立器件测试、集成电路测试、高校教学实训平台等应用;为客户提供模块化硬件、高效驱动程序和高效算法软件组合,帮助用户构建自定义解决方案,同时满足行业对测试效率、测试精度、供应链安全以及规模化的挑战。

      普赛斯仪表自主研制的国产化数字源表,可作为电压源和或电流源并同步测量电流和或电压,支持四象限工作。作为国内岭先的半导体电性能测试仪表提供商,普赛斯仪表凭借长期的技术创新、精益的生产制造、严格的质量体系及国际化视野,推出的产品被国内通信巨投和多家之名半导体企业认可和应用是为数不多进入国际半导体测试市场供应链体系的半导体电性能测试设备厂商。未来,公司将继续以“为客户提供醉优质的产品与Z贴心的服务”为宗旨,朝着圈球半导体电性能测试仪表的L跑者迈进。







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产地国产 加工定制
2000V/2000A双脉冲测试动态参数系统配备多种测试驱动板,可覆盖开关参数测试、栅极电荷测试、短路测试、雪崩测试等,单次测试即可完成开关特性及反向恢复特性测试;具备数据管理功能,可实时保存测试结果及波形曲线,自动生成测试报告
2000V/2000A双脉冲测试动态参数系统 产品详情
2000V/2000A双脉冲测试动态参数系统概述

PMDT功率器件动态参数测试系统是一款专用于MOSFET、IGBT、SiC  MOS等器件的动态参数测试,能够安全便捷的测试功率器件的开关延时和损耗,评估器件的安全工作区,对器件和驱动电路的短路保护特性进行验证,测量功率组件的杂散电感。设备既可以用于功率器件选型评估,又可以用于驱动电路和功率母排的优化设计,能够帮助用户开发性能更优化、工作更可靠的电力电子功率平台。

2000V/2000A双脉冲测试动态参数系统



系统组成
PMDT功率器件动态参数测试系统主要由双脉冲信号发生器,高分辨率示波器,高压电流探头,高压电源、母线电容、低杂感母排、自动化测试软件以及配套测试工装组成。系统配备多种测试驱动板,可覆盖开关参数测试、栅极电荷测试、短路测试、雪崩测试等,单次测试即可完成开关特性及反向恢复特性测试;具备数据管理功能,可实时保存测试结果及波形曲线,自动生成测试报告


系统特点

高电压达2000V(最大扩展至8kV)
大电流达2000A(可扩展至6000A)
低寄生电感设计:<20nH寄生电感
安全防护机制:集成防爆、过流/过压保护
全功能测试覆盖:支持DPT、RBSOA、   SCSOA、Qg等参数
自动化与智能化,负载电感自动切换
温度范围广:可选高温模块(常温-200℃)或热流仪(-40℃-200℃)
兼容多种封装,可根据测试需求定制夹具

2000V/2000A双脉冲测试动态参数系统测试参数
开通特性:开通延时时间td(on)、开通上升时间tr、开通时间ton、开通能量损耗E(on)、开通电压斜率dv/dt、开通电流斜率di/dt、Id vs.t、Vds vs.t、Vgs  vs.t、Ig  vs.t
关断特性:关断延时时间td(off)、关断上升时间tf、关断时间toff、关断能量损耗E(off)、关断电压斜率dv/dt、  关断电流斜率di/dt、Id vs. t、Vds vs. t、Vgs  vs. t、Ig  vs.t
反向恢复特性:反向恢复时间trr、反向恢复电荷Qrr、反向恢复能量Err、最大反向恢复电流Irrm、反向恢复电压斜率dv/dt、反向恢复电流斜率di/dt、反向恢复电流特性Id  vs.t
短路特性:短路时间Tsc、短路饱和电流Iscsat、Vce尖峰 VCEmax、短路能量Esc、短路功率Psc  
栅极电荷:总栅极电荷Qg、阈值栅极电荷Qgs(th)、栅源电荷Qgs、栅漏电荷Qgd、栅极申荷曲线Vgs  vs.t
反偏安全工作区:关断电压尖峰VCE—peak、关断电流尖峰lc、Vce vs.t、lc vs.t

测试夹具
针对市面上不同封装类型的功率半导体,如IGBT、SiC、MOS等产品,普赛斯提供整套测试夹具解决方案,可用于T0单管,半桥模组等产品的测试

2000V/2000A双脉冲测试动态参数系统

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