苏州安而森试验设备有限公司
AS-H3TRB-H8(模块专用) 适用的第三代半导体的研发和工艺改进1、高温扩散工艺技术的改进,包括可能引起硅片内部隐裂的工艺技术改进2、包封工艺技术、框架处理工艺技术的改进3、塑封料、框架的变更4、新产品(含新的封装结构)5、封装工艺过程中的污染 ......
AS-H3TRB-H8系列产品主要用于功率半导体器件的环境老化试验,比如 Si/SiC/GaN 材料的各种封装二极管、半桥、三极管、可控硅、IGBT、DIODE、MOSFET、HEMT、BJT、SCR、SiC、GaN器件进行高温高湿反偏试验。
电源电压范围为 0~6500V,可以根据客户要求选择不同电压等级电源,满足了不同产品同时试验的需求。试验温度范围可达-20~180℃。试验湿度范围为 10%~98%RH,灵活地支持不同类型的老化试验。最多支持 1280 个分立器件或72只半桥模块(上下桥切换),并支持不同封装的分立器件和模块组合试验,地利用资源满足研发和大批量生产要求。
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