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半导体缺陷定位

时间:2018-7-5阅读:99
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半导体失效分析缺陷定位,失效分析主要基于来自扫描链和存储器位图的数据。目的是将失效隔离到特定的缺陷级和IC特定区。

但是,进行准确的诊断所需要的测试信息与测试产品质量所需的数据是不一样的。例如,为使测试时间zui小化,产品测试趋向于使单个测试矢量覆盖的缺陷数目zui多。而在失效分析中,目的是使每个测试矢量引起的缺陷数目zui少。

除了传统的生产测试数据记录外,DCA需要附加的测试硬件和分析软件。几乎所有的测试设备都可以满足要求,相关分析主要基于结构测试技术如扫描、IDDQ、BIST和光学方法如SEM。例如,使用低成本的测试系统如Teseda V520和自动测试图形发生(ATPG)工具如Synopsys Tetramax,可以提高一些关键工艺的合格率。

使用失效分析测试设备和分析软件,必须使用旨在隔离缺陷的附加矢量。新型测试装置的目的是使寻找缺陷所需的电路zui少。

基于缺陷必须存在于从一个失效的输出反馈到一个或更多输入的敏化通道理论,工程师可以约束ATPG,得到用几个公用子通道敏化不同通道的若干试验方法。这种测试的一个实例是,对怀疑的固定故障或跃迁故障进行n探测。其测试结果对逻辑诊断判定很重要。

另外,将IDDQ数据与其它测试结果相关联通常很有用。通常,做为通用测试工具,IDDQ的值很重要,它的值也可以做为故障隔离工具。例如,通道分析可能的结果是,认为一些网络是可能发生的故障源。如果认为短路是故障类型,那么使用布局信息可以列举潜在的通道。

这样做的目的是,一次可以激活一个潜在的通道缺陷,并进行IDDQ测试以寻找缺陷激活时可能的电流尖峰。结果是,基于扫描的测试和IDDQ测试可以相互关联,将问题隔离到特定的位置。

 

ADVANCED手动探针台应用领域

Failre analysis  集成电路失效分析             

Wafer level  reliability晶元可靠性认证

Device characterization 元器件特性量测         

Process modeling塑性过程测试(材料特性分析)

IC Process  monitoring  制成监控              

Package part probing  IC封装阶段打线品质测试

Flat panel probing 液晶面板的特性测试          

PC board probing  PC主板的电性测试

ESD&TDR testing  ESD和TDR测试           

Microwave  probing  微波量测(高频)

Solar太阳能领域检测分析                      

LED、OLED、LCD领域检测分析

 

 

讨论的缺陷都有哪些?

DCA并不扮演过程控制机构角色。短期过程控制应在制造过程中,并可以用其它过程适当控制。

DCA是统计质量控制方法,预测*趋势、分析过程和设计、寻求改变二者以提高成品率的方法。因此,根据类别而不是特定的原因来检查缺陷。例如,电阻通路、因为应力而断裂的金属轨道、缺失的聚乙烯互连,都可以归类为开路。金属片、欠刻蚀的聚乙烯层和金属丝都可做桥。

尽管大多数缺陷可能发生在大量的互连金属层及其相关的过孔中,或存在于库单元的外部,但拥有库单元电路和布局信息是非常有好处的。如果这些信息可以被提供,其准确性是很重要的。

例如,图2是一个具有4-X驱动能力的缓冲器。示意图表明输出级只有两个晶体管,但布线层表明有多个晶体管,其栅和输出并行连接。如果依赖示意图的准确性,可能的缺陷(栅互连或输出互连)会被忽视。因 此,拥有布局数据和电示意图可以提供更完整的分析能力和*的缺陷定位能力。

图2 4-X逆变器单元的物理布线和示意图(略)

 

未来的趋势

目前,如果不对销售商提供布局和电路的库及IP核心,就不能很好地进行研究。当然,判断缺陷是否存在于IP核心或与核心的互连,可以由核心周围的包容物 来协助进行。这可能是一个服从IEEE P1500的电路或一些其它设计,只有它可以在测试过程中将核心与互连进行适当的隔 离。与销售商的进一步协作可以消除产生问题的根源。

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