本站客户服务
仪表网官微
仪表APP
仪表手机版
仪表小程序
激光镀膜设备
样品传递机构、样品架、旋转靶台、真空排气、真空测量、电器控制、配气、计算机控制等各部分组成。广泛应用于大专院校、科研院所进行薄膜材料的科研与小批量制备。
简单介绍：
激光镀膜设备系统由真空腔室（主溅射室、进样室）、样品传递机构、样品架、旋转靶台、真空排气、真空测量、电器控制、配气、计算机控制等各部分组成。广泛应用于大专院校、科研院所进行薄膜材料的科研与小批量制备。
详情介绍：
激光镀膜设备用途：
用于生长光学晶体、铁电体、铁磁体、超导体和有机化合物薄膜材料，适用于生长高熔点、多元素及含有气体元素的复杂层状超晶格薄膜材料。广泛应用于大专院校、科研院所进行薄膜材料的科研与小批量制备。
技术参数：
主真空室 | 球型结构，尺寸Ø 450mm | |
进样室 | 圆筒型立式结构，尺寸Ø 150x 150mm | |
真空系统配置 | 主真空室 | 分子泵与机械泵，阀门 |
进样室 | 分子泵与机械泵（与主真空室共用），阀门 | |
极限压力 | 主真空室 | ≦6*10-6Pa（经烘烤除气后） |
进样室 | ≦6*10-3Pa（经烘烤除气后） | |
恢复真空时间 | 主真空室 | 20分钟可达到5*10-3Pa（系统短时间暴露大气并充干燥氮气开始抽气） |
进样室 | 20分钟可达到5*10-3Pa（系统短时间暴露大气并充干燥氮气开始抽气） | |
旋转靶台 | 靶材*大尺寸约60mm；可一次安装4块靶材，可实现公转换靶;每块靶材可自转，转速5~60转/分
| |
基片加热台 | 样品尺寸 | Ø51 |
运动方式 | 基片可连续回转，转速5~60转/分 | |
加热温度 | 基片加热zui高温度800Ｃ±1 C，可控可调 | |
气路系统 | 质量流量控制器1路，充气阀1路 | |
可选部件 | 激光器装置 | 配相干201激光器 |
激光束扫描装置 | 二维扫描机械平台，执行两自由度扫描 | |
计算机控制系统 | 控制的内容主要有公转换靶，靶自转，样品自转、样品控温、激光束扫描等 | |
设备占地面积 | 主机 | 1800 * 1800mm2 |
电控柜 | 700 *700mm2（1个）
| |
