单室磁控溅射镀膜仪
主要由溅射真空室、磁控溅射靶、基片水冷加热台、工作气路、抽气系统、真空测量、电控系统及安装机台等部分组成。可广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料科研与小批量制备。
简单介绍：
单室磁控溅射镀膜仪主要由溅射真空室、磁控溅射靶、基片水冷加热台、工作气路、抽气系统、真空测量、电控系统及安装机台等部分组成。可广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料科研与小批量制备。
详情介绍：
单室磁控溅射镀膜仪设备用途：
用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料科研与小批量制备。
技术参数：
真空室 | 圆型真空室，尺寸Ø 450×50mm | |
真空系统配置 | 复合分子泵、机械泵、闸板阀 | |
极限压力 | ≦6.67*10-5 Pa （经烘烤除气后） | |
恢复真空时间 | 40 分钟可达到6 .6*10-4 Pa 。（系统短时间暴露大气并充入干燥氮气后开始抽气） | |
磁控靶组件 | 永磁靶三套；靶材尺寸Ø60mm（其中一个可溅射磁性材料）；各靶射频滩射和直流裁射兼容；靶内水冷；三个靶可共同折向上面的样品中心；靶与样品距离 90~110mm可调；当直接向上溅射时，靶与样品距离40~80mm可调 | |
基片水冷加热公转台 | 基片结构 | 基片加热与水冷独立工作，取下加热炉可以换上水冷基片台 |
样品尺寸 | Ø30mm | |
运动方式 | 基片可连续回转，转速 5~10 转／分 | |
加热 | 基片加热*高温度600℃±1℃ | |
基片负偏压 | －200V | |
气路系统 | 质 量 流 量 控制器 2 路 | |
计算机控制系统 | 控制样品转动，挡板开关，靶位确认等 | |
可选配件6工位基片加热公转台 | 拆下单基片水冷加热台可以换上该转台。可同时放置6片30mm的基片；6个工位中，其中一个工位安装加热炉，其余工位为自然冷却基片台；基片加热*高温度600℃ ±1℃ | |
设备占地面积 | 主机 | I300×800mm2 |
电控柜 | 70×700m2 | |
