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KRI 考夫曼离子源 RFICP 40
上海伯东代理美国* KRI 考夫曼型
离子源 RFICP 40 : 目前 KRI 射频离子源 RFICP 系列尺寸小, 低成本高效离子源. 适用于集成在小型的真空腔体内. 离子源 RFICP 40 设计采用创新的栅极技术用于研发和开发应用. 离子源 RFICP 40 无需电离灯丝设计, 适用于通气气体是活性气体时的工业应用.标准配置下 RFICP 40 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.
离子源 RFICP 40 特性:
1. 离子源放电腔 Discharge Chamber, 无需电离灯丝, 通过射频技术提供高密度离子, 工艺时间更长.
2. 离子源结构模块化设计, 使用更简单; 基座可调节, 有效优化蚀刻率和均匀性.
3. 提供聚焦, 发散, 平行的离子束
4. 离子源自动调节技术保障栅极的使用寿命和可重复的工艺运行
5. 栅极材质钼和石墨,坚固耐用
6. 离子源中和器 Neutralizer, 测量和控制电子发射,确保电荷中性
KRI 考夫曼离子源 RFICP 40 技术参数：
型号 | RFICP 40 / RFICP 40FN |
供电 | RF 射频感应耦合 |
- 阴极灯丝 | - |
- 射频功率 | 0.6 KW |
电子束 | OptiBeam™ |
- 栅极 | |
-栅极直径 | 4 cm |
中和器 | LFN 2000 |
电源控制 | RFICP 1510-2-06-LFNA |
配置 | - |
- 阴极中和器 | LFN1000 or MHC1000 or RFN |
- 安装 | 移动或快速法兰 |
- 高度 | 5.0' |
- 直径 | 5.3' |
- 离子束 | 聚焦 平行 散设 |
-加工材料 | 金属 电介质 半导体 |
-工艺气体 | 惰性 活性 混合 |
-安装距离 | 6-18” |
- 自动控制 | 控制4种气体 |
* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量
KRI 考夫曼离子源 RFICP 40 应用领域：
预清洗
表面改性
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD,
溅镀和蒸发镀膜 PC
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE
射频离子源 RFICP 40,
射频离子源 RFICP 40
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产
考夫曼离子源 Gridded 和霍尔离子源 Gridless. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射沉积 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源 (离子枪) 中国总代理.
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