HUSTEC华科智源
HUSTEC-1600A-MT
IGBT静态参数综合特性测试仪
资料介绍
HUSTEC-1600A-MT
大功率半导体测试系统华科智源
测试参数：
ICES 集电极-发射极漏电流
IGESF 正向栅极漏电流
IGESR 反向栅极漏电流
BVCES 集电极-发射极击穿电压
VGETH 栅极-发射极阈值电压
VCESAT 集电极-发射极饱和电压
ICON 通态电极电流
VGEON 通态栅极电压
VF 二极管正向导通压降
整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用。
二：HUSTEC-1200A-MT大功率半导体测试系统华科智源应用范围
A：IGBT单管及模块，
B：大功率场效应管（Mosfet）
C：大功率二极管
D：标准低阻值电阻
E：轨道交通，风力发电，新能源汽车，变频器，焊机等行业筛选以及在线故障检测
华科智源IGBT测试仪系统特征：
A：测量多种IGBT、MOS管
B：大脉冲电流1200A，电压5KV，测试范围广；
C：脉冲宽度 50uS~300uS
D：Vce测量精度2mV
E：Vce测量范围>10V
F：电脑图形显示界面
G：智能保护被测量器件
H：上位机携带数据库功能
I：MOS IGBT内部二极管压降
J : 一次测试IGBT全部静态参数
K: 生成测试曲线（IV曲线直观看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位）
L:可以进行不同曲线的对比，观测同一批次产品的曲线状态，或者不同厂家同一规格参数的曲线对比；
序号 | 测试项目 | 描述 | 测量范围 | 分辨率 | 精度 |
1 | VF | 二极管正向导通压降 | 0~20V | 1mV | ±1%,±1mV |
2 | IF | 二极管正向导通电流 | 0~1200A | ≤200A时,0.1A | ≤200A时,±1%±0.1A |
3 | ＞200A时,1A | ＞200A时,±1% | |||
4 | Vces | 集电极-发射极电压 | 0~5000V | 1V | ±1%,±1V |
5 | Ic | 通态集电极电流 | 0~1200A | ≤200A时,0.1A | ≤200A时,±1%±0.1A |
6 | ＞200A时,1A | ＞200A时,±1% | |||
7 | Ices | 集电极-发射极漏电流 | 0~50mA | 1nA | ±1%,±10μA |
8 | Vgeth | 栅极-发射极阈值电压 | 0~20V | 1mV | ±1%,±1mV |
9 | Vcesat | 集电极-发射极饱和电压 | 0~20V | 1mV | ±1%,±1mV |
10 | Igesf | 正向栅极漏电流 | 0~10uA | 1nA | ±2%,±1nA |
11 | Igesr | 反向栅极漏电流 | |||
12 | Vges | 栅极发射极电压 | 0~40V | 1mV | ±1%,±1mV |
华科智源IGBT测试仪针对 IGBT 的各种静态参数而研制的智能测试系统；自动化程度高（按照操作人员设定的程序自动工作），计算机可以记录测试结果，测试结果可转化为文本格式存储，测试方法灵活（可测试器件以及单个单元和多单元的模块测试），安全稳定（对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁），具有安全保护功能，测试速度方便快捷。
