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  • B1505A 功率器件分析仪

B1505A 功率器件分析仪

参考价
面议
具体成交价以合同协议为准
  • 型号
  • 品牌
  • 所在地上海
  • 更新时间2024-08-07
  • 厂商性质其他
  • 所在地区上海
  • 实名认证已认证
  • 产品数量167
  • 人气值951
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上海德竹芯源科技有限公司是一家专注于功率器件、光电器件、射频器件、量子器件、MEMS传感器领域的设备销售、系统集成、设备国产化的公司。主要为高校、研究所、中试量产线及晶圆FAB厂提供半导体工艺设备、检测设备、封装设备、测试设备。目前公司已成为国内少数几家专业提供半导体工艺、检测、封装、测试整体解决方案的企业。公司主要成员为复旦大学、上海微系统所等半导体相关专业博士,拥有一支经验丰富、技术过硬的团队。能够出色地完成售前售中、售后的服务。目前公司已与众多国际半导体设备企业建立了良好的合作关系(如:EVG、SAWNATEC、SENTECH、PICOSUN、SYSKEY、 Mavemn Panalyrical、PHL-CHINA、TEMPRESS,ROHDE&SCHWARZ、MPI等),致力于根据用户的科研方向和量产的器件类别提供相应的全套设备选型和工艺整体解决方案。
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Keysight B1505A 功率器件分析仪/曲线追踪仪能对 sub-pA 电平至 10 kV 和 1500 A 的高功率器件进行表征的综合解决方案。这些功能可以对的器件(例如 IGBT)和材料(例如 GaN 和 SiC)进行测量。B1505A 支持各种模块:高电压、强电流、电流、超高电压模块和高电压中等电流模块。B1505A 还支持:高功率、中等功率、中等电流和多频电容测量单元。B15......
B1505A 功率器件分析仪 产品详情

广泛的工作条件与精密测量功能相结合

适合功率器件表征的综合解决方案,高达 1500 A 和 10 kV

中等电流测量和高电压偏置(例如,500 mA,1200 V)

μΩ 导通电阻测量功能

高电压偏置时,可进行精确的 sub-pA 电平电流测量

在 -50℃ 至 +250℃ 温度范围内进行全自动热测试


广泛的器件测量功能

可在高达 3000 V 直流偏置时执行全自动电容测量(Ciss、Coss、Crss 等)

10 μs 高功率脉冲测量

封装器件和晶圆上 IGBT/FET 栅极电荷测量

高电压/强电流快速切换选件,适用于 GaN 电流崩塌效应表征

多达 5 个高电压(3 kV)电源/测量通道,提供大灵活性

通过互锁测试夹具执行安全的与温度相关的测试


改进的测量效率

在高电压和强电流测量之间自动切换,无需重新布线

自动测试电路形成,可用于封装器件和晶圆上器件的晶体管结电容(Ciss、Coss、Crss、Cgs、Cgd、Cds 等)测量

具有互锁机制的标准测试夹具,可进行封装功率器件测试

支持高达 200 A 和 10 kV 的高功率晶圆上测试

示波器视图支持对应用电压和电流波形的验证

MS Windows EasyEXPERT 软件简化了数据管理和分析流程


可升级和可扩展的硬件体系结构

广泛的测量模块选择

支持具有高达 6 个连接引脚的高功率器件


Keysight B1505A 功率器件分析仪/曲线追踪仪能够对 sub-pA 电平至 10 kV 和 1500 A 的高功率器件进行表征的综合解决方案。这些功能可对新器件(例如 IGBT)和材料(例如 GaN 和 SiC)进行测量。B1505A 支持各种模块:高电压 SMU(HVSMU)、强电流 SMU(HCSMU)、电流(UHC)模块、超高电压(UHV)模块和高电压中等电流(HVMC)模块。B1505A 还支持:高功率 SMU(1 A/200 V)、中等功率 SMU(100 mA/100 V)、中等电流 SMU(1 A/30V 脉冲,100 mA/30V 直流)和多频电容测量单元(1 kHz – 5 MHz)。B1505A的10 插槽模块化主机支持您对其进行配置,以满足您的测量需求。


它还能在高电压偏置(高达3000 V)时执行全自动电容测量,例如 Ciss、Coss 和 Crss,也能轻松地测试高频开关转换器的另一个重要参数——栅极电荷。还支持在 -50℃ 至 +250℃ 温度范围内进行自动热表征。


B1505A 软件环境以 Microsoft® Windows® 7 操作系统为基础,包括曲线追踪仪,支持用户检测器件特征和探测器件故障。如同使用曲线追踪仪一样,B1505A 提供旋钮控制可变扫描功能,可对参数(例如击穿电压)进行实时测量。B1505A 还提供“示波器查看功能”,可直观地帮助操作人员优化应用于器件的电压和电流。测量设置信息和数据可自动存储到 B1505A 的内置硬盘,并复制到USB闪存和其他便携存储器件。将器件测量结果汇总之后,测量数据可轻松复制到工程报告中。


强大的测试夹具解决方案对于确保操作人员安全(由于生成的高电压和强电流)和支持各种功率器件封装类型极为重要。以前的传统曲线追踪仪受功率器件大小的限制,无法对某些功率器件进行测试,而且有时为了测试某一器件必须临时装配适配器。然而不论器件的大小或形状如何,B1505A 的测试夹具可连接各种器件,例如功率 MOSFET、二极管和 IGBT 等。这可以通过大型测试夹具适配器和定制的测试夹具模块来实现。此外,测试夹具的内置互锁机制可确保在测试器件过程中安全地应用高电压和强电流。


模块选型指南

高功率 SMU(HPSMU)

所需模块/扩展器:B1510A HPSMU

所需插槽数:2

配置:4

主要技术指标:高达 200 V、1 A,10 fA 电流分辨率


中等功率 SMU(MPSMU)

所需模块/扩展器:B1511B MPSMU

所需插槽数:1

配置:10

主要技术指标:高达 100 V、100 mA,10 fA 电流分辨率


强电流 SMU(HCSMU)

所需模块/扩展器:B1512A HCSMU

所需插槽数:2

配置:2

主要技术指标:20 A/20 V(脉冲);1 A/40 V(直流)*1


高电压 SMU(HVSMU)

所需模块/扩展器:B1513C HVSMU

所需插槽数:2

配置:5

主要技术指标:1500 V/8 mA;3000 V/4 mA(脉冲和直流)


中等电流 SMU(MCSMU)

所需模块/扩展器:B1514A MCSMU

所需插槽数:1

配置:6

主要技术指标:1 A/30 V(脉冲);100 mA/30 V(直流)


多频电容测量单元(MFCMU)

所需模块/扩展器:B1520A MFCMU

所需插槽数:1

配置:1

主要技术指标:1 kHz 至 5 MHz;0 至 ±25 V,使用 MFCMU 内部直流偏置、0 至 ±3000 V,使用 HVSMU和高电压偏置 T 型接头


高电压中等电流单元(HVMCU)

所需模块/扩展器:M1266A HVSMU 电流扩展器、B1513B HVSMU 和两个 B1514A MCSMU/B1512A HCSMU

所需插槽数:4 - 6

配置:1

主要技术指标:±1500 V / 2.5 A(脉冲),±2200 V/ 1.1 A(脉冲)


电流单元(UHCU)

所需模块/扩展器:N1265A 电流扩展器/夹具和两个 B1514A MCSMU/B1512A HCSMU

所需插槽数:2 - 4

配置:1

主要技术指标:1500 A/ 60 V(脉冲),22.5 kW 峰值功率、±500 A / 60 V(脉冲),7.5 kW 峰值功率


超高电压单元(UHVU)

所需模块/扩展器:N1268A 超高电压扩展器和两个 B1514A MCSMU 或 B1512A HCSMU 和 B1514A MCSMU 组合

所需插槽数:2 - 3

配置:1

主要技术指标:10 kV/10 mA(直流),10 kV/ 20 mA(脉冲)

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