工作原理：通过内置的加热和冷却系统来控制样品的温度，可在很宽的温度范围内调节，同时配备真空泵抽取腔体内的空气形成真空环境，以便在模拟的空间环境中对样品进行测试。使用时，研究人员将样品放置在探针台的样品台上，通过控制系统设置所需的温度和真空度，达到预设条件后，使用探针台搭载的探针或其他测量工具对样品进行电学性质的测量。
武汉真空高低温探针台结构组成：
制冷系统：通常采用液氦、液氮或制冷机等制冷技术，将温度降低到极低的温度范围，如 4K 至 77K，以适应低温实验的要求。
加热系统：一般由电热丝或电阻炉等加热装置组成，可将样品加热到几百摄氏度甚至更高温度，如 300℃至 500℃。
温度控制系统：常采用 PID 控制器或模糊逻辑控制器等，实现对温度的精确控制和稳定，温度控制精度可达 ±0.1K 至 ±1℃。
真空系统：由真空泵、真空腔、真空阀门和真空测量仪器等组成，可将样品腔抽至真空状态，防止亲水性材料表面冷凝，提高测量的准确性和稳定性，真空度一般可达 10⁻³Pa 至 10⁻⁶Pa。
探针台：通常配备有各种类型的探针，如电压探针、电流探针、电阻探针、微波探针等，以对材料进行各种实验和测量。探针臂一般可在 X、Y、Z 三轴方向进行调节，并可进行面内 ±5° 旋转，便于与样品进行电气或光学连接。
显微镜系统：用于观察样品和探针的位置，以便进行精确的对准和操作，通常配备有高分辨率的光学显微镜或电子显微镜，放大倍数一般为 10 倍至 2000 倍。
武汉真空高低温探针台性能参数：
温度范围：一般为 4K 至 500K 或更宽，可根据不同的制冷和加热技术进行调整。
真空度：通常优于 5×10⁻⁶Pa，可根据不同的真空系统和应用需求进行选择。
探针定位精度：一般为 10μm 至 1μm，可根据不同的探针臂和位移台技术进行调整。
漏电精度：一般为 10pA 至 100fA，可根据不同的探针和测量仪器进行选择。
应用领域：
半导体材料与器件研究：用于测试半导体晶圆、芯片在高低温下的电学性能，如载流子迁移率、电阻率、击穿电压等，有助于研究半导体材料的特性和器件的性能优化。
超导材料研究：可用于研究超导材料的临界温度、超导转变特性、磁通钉扎等性能，探索新型超导材料和超导器件的应用。
光电器件研究：如光电二极管、激光二极管、光电探测器等光电器件在高低温下的光电性能测试，有助于提高光电器件的性能和可靠性。
