NPE-4000（ICPA）全自动ICPECVD等离子体化学气相沉积系统: NM的PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, DLC膜到Z大可达6“ 基片...

NPE-4000（A）全自动PECVD等离子体化学气相沉积系统: NM的PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可达12“ 的基片.淋...

NLD-4000（A）全自动原子层沉积系统：ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体...

NRE-3500（A）全自动反应离子刻蚀机：自动上下栽片，PC控制的RIE反应离子刻蚀系统，淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品，不锈钢柜，13“顶盖式圆柱形铝腔...

NDR-4000（A）全自动DRIE深反应离子刻蚀：全自动上下载片，带低温晶圆片冷却和偏压样品台的深硅刻蚀系统，带8“ ICP源。系统配套500L抽速的涡轮分子...

NIE-4000（A）全自动IBE离子束刻蚀：如铜和金等金属不含挥发性化合物，这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。然而通过加速的Ar离子进行物理刻蚀则是可能的...

NLD-4000（ICPA）全自动PEALD系统：ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于...

NRE-4000（A）全自动反应离子刻蚀：独立式RIE反应离子刻蚀系统，淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品，不锈钢柜子以及13“的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装...

NANO-MASTER NOC-4000进口光学镀膜机提供*的技术，在一个腔体中实现原子级清洗和光学样片抛光，然后把样片传送到第二级腔体中对同一样片进行表面涂覆...

NIM-4000（M）离子铣刻蚀系统：利用离子束轰击固体表面的溅射作用，剥离加工各种几何图形，通过大面积离子源产生的离子束，可对固体材料溅射刻蚀，对固体器件进行...

NRE-4000（ICPA）全自动ICP刻蚀系统：自动上下载片，带ICP等离子源和偏压样品台的高速刻蚀系统，系统可以达到高速率、低损伤、高深宽比的刻蚀效果。可实...

NRE-3000 反应离子刻蚀机：PC控制的RIE反应离子刻蚀系统，淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品，不锈钢柜子及13“的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔...

NMC-4000 MOVPE设备：针对InGaN及AlGaN沉积工艺所研发的台式等离子辅助金属有机化学气相沉积系统（PA-MOCVD）,该系统具有5个鼓泡装置（...

NLD-3500（A）全自动原子层沉积设备：ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体...

NMC-3000等离子辅助MOCVD系统：针对InGaN及AlGaN沉积工艺所研发的台式等离子辅助金属有机化学气相沉积系统（PA-MOCVD）,该系统具有5个鼓...

NMC-4000（A）全自动PAMOCVD系统：针对InGaN及AlGaN沉积工艺所研发的台式等离子辅助金属有机化学气相沉积系统（PA-MOCVD）,该系统具有...

NPD-4000（A）全自动PLD脉冲激光沉积系统：脉冲激光束聚焦在固体靶的表面上。固体表面大量吸收电磁辐射导致靶物质快速蒸发。蒸发的物质由容易逃出与电离的核素...

C-1000磁控溅射系统：带有水冷或者加热（可加热到700度）功能，可达6“旋转平台，支持到2个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极限真空可达10-7 Tor...

C-3000（A）全自动磁控溅射系统：台式自动系统，带有水冷或者加热（可加热到700度）功能，可达6“旋转平台，支持到3个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极...

NTE-4000（M）热蒸发系统：NTE-4000是PC控制的立式热蒸发系统，在有机物和金属沉积方面具有广泛的应用。设备具有占地面积小、干净、均匀、可控及可重复...