上海德竹芯源科技有限公司
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SENTECH 多腔系统包括等离子刻蚀和/或沉积腔体、传送腔室、预真空室或片盒站。传送腔室包括传送机械手臂，可适用于三至六个端口。可使用多达两个片盒站来增加产量。传送腔室可配备多种选择。
沉积刻蚀多腔互联系统
RIE&CVD Cluster System
● 高产能：等离子蚀刻和沉积腔体可与多达两个片盒站组合，用于到 200 mm 晶片的高产量工艺。
● 研发：三到六个端口传送腔室可用于集成 ICP 等离子刻蚀机、RIE刻蚀机、原子层沉积系统、PECVD 和 ICPECVD 沉积设备，以满足研发的要求。样品可通过预真空室和/或真空片盒站加载。
● 高质量的多腔系统：ICP-RIE 等离子刻蚀腔体可与两个片盒站组合用于 200mm 晶片的高产量并行工艺。
● ICP-RIE，RIE，PECVD 和 ICPECVD 等腔体可与预真空室，片盒站等组合使用，以满足研发的特殊要求。
● SENTECH 多腔系统包括等离子刻蚀和/或沉积腔体、传送腔室、预真空室或片盒站。传送腔室包括传送机械手臂，可适用于三至六个端口。可使用多达两个片盒站来增加产量。传送腔室可配备多种选择。
● 用于研发的 SENTECH 多腔系统通过图形用户界面控制软件操作。强大的控制软件可用于工业领域高产量的多腔系统。
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