上海德竹芯源科技有限公司
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灵活性、模块性和占地面积小是 SI 591 的设计特点。
反应离子刻蚀设备
Reactive Ion Etching - RIE
SI 591 反应离子刻蚀设备是 SENTECH 设计的紧凑型模块化刻蚀设备，具有高灵活性，适用于化合物半导体、聚合物、介质、金属和硅工艺刻蚀，可配置单反应腔体或带预真空室和片盒站的多腔系统，也可以升级到 CVD Cluster中。带预真空室的设备支持使用氯基气体。
基于SI 591反应离子刻蚀的CVD Cluster
设备主要特点
● 工艺灵活，功能齐全：SI 591等离子体刻蚀设备配备高真空抽气系统，可适用于氯基和氟基等腐蚀性等离子蚀刻工艺。
● 占地面积小且模块化程度高：SI 591等离子体刻蚀设备单腔带预真空室的占地面积为：655 × 1050 mm2，可配置为单个反应腔或作为片盒到片盒装载的多腔设备，也可集成于CVD Cluster。
● SENTECH控制软件：
● 我们的等离子蚀刻设备有功能强大的用户友好软件与模拟图形用户界面、参数窗口、工艺窗口、数据记录和用户管理。
● 预真空室和计算机控制的等离子体刻蚀工艺条件，使得 SI 591 具有优异的工艺再现性和等离子体蚀刻工艺灵活性。灵活性、模块性和占地面积小是 SI 591 的设计特点。样品直径可达 200 mm，通过载片器加载。
● 位于顶部电极和反应腔体的更大诊断窗口可以轻易地容纳 SENTECH 激光干涉仪或 OES 和 RGA 系统。椭偏仪端口可用于 SENTECH 椭偏仪进行原位监测。
● SI 591 结合了计算机控制的 RIE 平行板电极设计的优点和预真空室系统。SI 591 可配置用于各种材料的刻蚀。在 SENTECH，我们提供不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室或多达六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 591 也可用作多腔系统中的一个工艺模块。
应用展示
介质，半导体，硅，金属刻蚀
SI 591 等离子刻蚀设备
● 占地面积小的 RIE 等离子刻蚀
● 预真空室
● 支持卤素和氟基气体
● 适用于 200 mm 的晶圆
● 可集成原位激光干涉仪和基于OES的终点监测
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