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| 产地 | 进口 | 加工定制 | 否 |
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价格电议
KRI 考夫曼离子源 Gridded RFICP 系列
上海伯东美国 KRI 考夫曼离子源 RFICP 系列,无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长,
KRI 射频离子源
RFICP 系列提供完整的套装, 套装包含离子源, 电子供应器, 中和器, 电源控制等
RFICP 系列离子源是制造精密薄膜和表面的有效工具, 有效改善靶材的致密性光透射,均匀性,附着力等
KRI 射频离子源
RFICP系列离子源应用:
离子辅助镀膜 IBAD( Ion beam assisted deposition in thermal & e-beam evaporation )
离子清洗 PC (In-situ preclean in sputtering & evaporation )
表面改性, 激活 SM (Surface modification and activation )
离子溅镀IBSD (Ion beam sputter deposition of single and multilayer structures)
离子蚀刻 IBE (Ion beam etching of surface features in any material)
RFICP系列离子源技术参数:
型号 | RFICP 40 | RFICP 100 | RFICP 140 | RFICP 220 |
Discharge 阳极 | RF 射频 | RF 射频 | RF 射频 | RF 射频 |
- 灯丝阴极 | 无 | 无 | 无 | 无 |
- 射频功率 | 0.6 kw | 1kw | 1kw | 2kw |
离子枪 | 离子束 | 离子束 | 离子束 | 离子束 |
- 栅极 | 根据实际应用选配 | |||
- 对齐 | 自对准 | 自对准 | 自对准 | |
- 离子束直径@栅极 | 4cm | 10 或12cm | 14cm | 22cm |
中和器 | LFN 2000 | LFN 2000 | LFN 2000 | LFN 2000 |
电源控制 | RFICP 1510-2-06-LFNA | RFICP 1510-2-10-LFNA | RFICP 1510-2-10-LFNA | RFICP 1510-2-10-LFNA |
配置 | ||||
Cathode / Neutralizer | LFN1000 or MHC1000 or RFN | LFN2000 or MHC1000 or RFN | LFN2000 or MHC1000 or RFN | LFN2000 or MHC1000 or RFN |
基座 | 法兰或Remote | 法兰或Remote | 法兰或Remote | 法兰或Remote |
高度 | 5.0 英寸 | 9.25 英寸 | 9.8英寸 | 11.8 英寸 |
直径 | 5.3 英寸 | 7.52 英寸 | 9.8 英寸 | 16.1 英寸 |
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源 Gridded 和霍尔离子源 Gridless. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射沉积 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源 (离子枪) 中国总代理.
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