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射频离子源RFICP380溅射制备微晶硅薄膜 参考价：360000
硅薄膜作为薄膜太阳能电池的核心材料越来越引起人们的重视, 非晶硅薄膜太阳能电池由于存在转换效率低和由 S-W 效应引起的效率衰退等问题, 而微晶硅薄膜具有较高电...
考夫曼射频离子源溅射沉积立方氮化硼薄膜 参考价：300000
立方氮化硼（cBN）由于具有高超的硬度/ 好的化学惰性/ 较好的热稳定性/ 高的热导率/ 在宽波长范围内(约从 200nm 开始) 有很好的透光性/ 可掺杂为 ...
KRi 射频离子源应用于IBE 离子束蚀刻系统 参考价：300000
上海伯东美国 KRi 考夫曼公司大面积射频离子源RFICP 380, RFICP 220 成功应用于 12英寸和 8英寸 IBE离子束蚀刻机, 刻蚀均匀性（1 ...
KRi 离子源电子束蒸发系统辅助镀膜应用 参考价：300000
上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源 KDC 系列, 通过加热灯丝产生电子, 是典型的考夫曼型离子源, 离子源增强设计输出低电流高能量宽束型离子束, 通过同时的或...
KRi 射频离子源 IBSD 离子束溅射沉积应用 参考价：300000
上海伯东美国 KRi 考夫曼品牌 RF 射频离子源, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的宽束离子束, 离子束轰击溅射目标, 溅射的原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜,...
考夫曼离子源成功用于多靶磁控溅射镀膜机 参考价：面议
某 OEM 厂商为了提高镀膜机镀膜的品质, 其为客户搭建的多靶磁控溅射镀膜机的溅射源采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380, 清洗源采用 KRI 霍尔...
考夫曼离子源 RFICP220 溅射沉积钛金属薄膜 参考价：360000
上海某大学研究室在多层钛膜做微观结构的研究中采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 溅射沉积钛薄膜做加热电路提高器件温度,从而提高光波导器件中硅材料的...
考夫曼离子源RFICP380镀制红外器件ZnS薄膜 参考价：360000
某半导体厂商为了提高红外器件 ZnS 薄膜厚度均匀性, 采用KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380辅助磁控溅射沉积设备镀制红外器件 ZnS 薄膜, 并采用动...
KRI离子源RFICP140溅射沉积半导体IGZO薄膜 参考价：360000
河北某大学实验室在研究 IGZO 薄膜的特性试验中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 作为溅射源, 溅射沉积半导体 IGZO 薄膜.
考夫曼离子源RFICP220溅射沉积ZnNi合金薄膜 参考价：360000
沈阳某大学课题组采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 射频磁控溅射沉积方法制备了不同成分的 ZnNi 合金薄膜, 并研究了真空热处理对其成分及表...
考夫曼离子源RFICP380制备IFBA芯块ZrB2涂层 参考价：360000
某科研机构在 IFBA 芯块 ZrB2 涂层研究中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380辅助镀膜设备溅射沉积 ZrB2 涂层.
KRI 考夫曼射频离子源RFICP140制备NGZO薄膜 参考价：360000
上海某大学实验室采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 , 通入氩气和氮气, 在流量比分别为 25/10、25/20、25/25、25/30 ((mL...
考夫曼射频离子源RFICP220制备富硅SiNx薄膜 参考价：360000
云南某实验室采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220射频磁控溅射沉积方法在不同温度的 Si（100）衬底和石英衬底上制备了富硅 SiNx 薄膜, 用...
考夫曼离子源溅射多层沉积Nb3Sn超导薄膜 参考价：360000
国内某大学采用双 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140作为溅射源分别溅射沉积铌和锡, 再经过高温退火后获得 Nb3Sn 超导薄膜. 用这种方法所获得的超导...
考夫曼离子源RFICP380溅射沉积NSN70隔热膜 参考价：360000
某机构采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380辅助磁控溅射在柔性基材表面沉积多层 NSN70 隔热膜, 制备出的 NSN70 隔热膜具有阳光控制功能...
KRI 考夫曼射频离子源辅助磁控溅射WS2 薄膜 参考价：360000
河南某大学研究室采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380辅助磁控溅射 WS2 薄膜, 目的研究不同沉积压力对磁控溅射 WS2 薄膜微观结构、力学性能...
上海伯东代理有机材料热蒸镀设备 参考价：1000000
上海伯东代理有机材料热蒸镀设备针对研究等级的实验室, 推出玻璃对玻璃封装的对位压合机构. 整合涂胶系统 (UV或liquid gate) 和紫外光灯可安装于手套...
上海伯东代理金属热蒸镀设备 Metal Thermal 参考价：1000000
热蒸发是物理气相沉积 PVD 中较常用方法, 也是 PVD 的形式之一. 使用电加热的蒸发源可用于沉积大多数的有机和无机薄膜, 其中以电阻式加热法较为常见. 这...
上海伯东代理超高真空磁控溅射镀膜机 参考价：1000000
上海伯东代理超高真空磁控溅射镀膜机. 真空度高 5E-10 Torr, 特比适合生长高质量的薄膜或超薄膜, 金属与绝缘材料. 使用德国 Pfeiffer 分子泵...
上海伯东代理 磁控溅镀设备 FPD-PVD 参考价：1000000
随着 LCD 面板和制造所需玻璃的尺寸的增加, 制造设备也随着变得更大, 需要越来越大的设备投资. 上海伯东代理磁控溅镀设备 FPD-PVD 针对中小尺寸的需求...
上海伯东代理 E-Beam 电子束蒸发镀膜机 参考价：1000000
上海伯东代理 E-Beam 电子束蒸发镀膜机 ( 电子蒸镀 ), zui大真空度可达 5E-10 torr, 提供客制化服务.
上海伯东代理脉冲激光沉积设备 PLD-18L 参考价：1000000
上海伯东代理脉冲激光沉积设备 PLD-18L, 它可以与溅射枪, 积液池, 高压流变, 激光束控制相结合, 可以放置 8×1 英寸的样品或 4...
上海伯东代理分子束外延设备 MBE-8 参考价：1000000
上海伯东代理分子束外延设备 MBE-8 可以成长三寸以下的样品, 样品温度可以加到 900 摄氏度, 如果是两寸以下的样品可以到 1100 摄氏度. 可以装置 ...
上海伯东代理分子束外延设备 MBE-10 参考价：1000000
上海伯东代理分子束外延设备 MBE-10 可以成长四寸～六寸的样品, 样品温度可以加到 900摄氏度, 如果是两寸以下的样品可以到 1100 摄氏度.可以装置 ...
