射频离子源RFICP380溅射制备微晶硅薄膜 参考价：360000
硅薄膜作为薄膜太阳能电池的核心材料越来越引起人们的重视, 非晶硅薄膜太阳能电池由于存在转换效率低和由 S-W 效应引起的效率衰退等问题, 而微晶硅薄膜具有较高电...
KRi 离子源电子束蒸发系统辅助镀膜应用 参考价：300000
上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源 KDC 系列, 通过加热灯丝产生电子, 是典型的考夫曼型离子源, 离子源增强设计输出低电流高能量宽束型离子束, 通过同时的或...
考夫曼离子源成功用于多靶磁控溅射镀膜机 参考价：面议
某 OEM 厂商为了提高镀膜机镀膜的品质, 其为客户搭建的多靶磁控溅射镀膜机的溅射源采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380, 清洗源采用 KRI 霍尔...
考夫曼离子源 RFICP220 溅射沉积钛金属薄膜 参考价：360000
上海某大学研究室在多层钛膜做微观结构的研究中采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 溅射沉积钛薄膜做加热电路提高器件温度,从而提高光波导器件中硅材料的...
考夫曼离子源RFICP380镀制红外器件ZnS薄膜 参考价：360000
某半导体厂商为了提高红外器件 ZnS 薄膜厚度均匀性, 采用KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380辅助磁控溅射沉积设备镀制红外器件 ZnS 薄膜, 并采用动...
KRI离子源RFICP140溅射沉积半导体IGZO薄膜 参考价：360000
河北某大学实验室在研究 IGZO 薄膜的特性试验中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 作为溅射源, 溅射沉积半导体 IGZO 薄膜.
考夫曼离子源RFICP220溅射沉积ZnNi合金薄膜 参考价：360000
沈阳某大学课题组采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 射频磁控溅射沉积方法制备了不同成分的 ZnNi 合金薄膜, 并研究了真空热处理对其成分及表...
考夫曼离子源RFICP380制备IFBA芯块ZrB2涂层 参考价：360000
某科研机构在 IFBA 芯块 ZrB2 涂层研究中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380辅助镀膜设备溅射沉积 ZrB2 涂层.
KRI 考夫曼射频离子源RFICP140制备NGZO薄膜 参考价：360000
上海某大学实验室采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 , 通入氩气和氮气, 在流量比分别为 25/10、25/20、25/25、25/30 ((mL...
考夫曼射频离子源RFICP220制备富硅SiNx薄膜 参考价：360000
云南某实验室采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220射频磁控溅射沉积方法在不同温度的 Si（100）衬底和石英衬底上制备了富硅 SiNx 薄膜, 用...
考夫曼离子源溅射多层沉积Nb3Sn超导薄膜 参考价：360000
国内某大学采用双 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140作为溅射源分别溅射沉积铌和锡, 再经过高温退火后获得 Nb3Sn 超导薄膜. 用这种方法所获得的超导...
考夫曼离子源RFICP380溅射沉积NSN70隔热膜 参考价：360000
某机构采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380辅助磁控溅射在柔性基材表面沉积多层 NSN70 隔热膜, 制备出的 NSN70 隔热膜具有阳光控制功能...
KRI 考夫曼射频离子源辅助磁控溅射WS2 薄膜 参考价：360000
河南某大学研究室采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380辅助磁控溅射 WS2 薄膜, 目的研究不同沉积压力对磁控溅射 WS2 薄膜微观结构、力学性能...
考夫曼射频离子源RFICP220制备 YIG 薄膜 参考价：360000
钇铁石榴石铁氧体 (YIG) 是一种在室温中广泛应用的亚铁磁性材料, 由于其铁磁共振线宽窄、电阻率高、高频损耗小以及具有较高的法拉第旋光效率和较低的传播损耗, ...
考夫曼离子源RFICP140溅射沉积铝锰合金薄膜 参考价：360000
华北某大学实验室采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 辅助磁控溅射沉积的方法在钕铁硼磁体表面制备了耐腐蚀性良好的铝锰合金薄膜.
考夫曼离子源辅助溅射沉积MnZn铁氧体薄膜 参考价：360000
电子系统在快速发展, 但是磁性器件二维化而引发与三维块材迥异的特性和制备工艺与半导体技术难以兼容的问题仍未能很好的解决. 因此 MnZn铁氧体作为一种优良磁性器...
射频离子源辅助磁控溅射制TiSiN-Ag薄膜 参考价：360000
为了研究 Ag 元素对 TiSiN 薄膜结构及性能的影响, 江苏某大学课题组采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射法制备了不同 Ag...
考夫曼射频离子源 RFICP220 溅射沉积 Ir 膜 参考价：360000
铱 (Ir) 是一种很好的真空紫外反射材料. 在 50100nm 的波长范围内, Ir 膜反射率比此波长范围内常用材料 Au、Pt 都高, 虽比 Os 膜反射率...
KRI 考夫曼射频离子源溅射沉积 Ti-B-C 薄膜 参考价：360000
在常见的高硬度薄膜之中, 由 Ti、B、C 和 N 几种元素可以形成多种共价键材料, 如 TiB2、TiC、Ti-B-N、Ti-B-C-N 等, 这些物质具有优...
KRI 考夫曼射频离子源溅射沉积 ZrAlN 薄膜 参考价：360000
合金化是提高过渡族金属氮化物薄膜硬度及抗磨损、耐腐蚀性能的有效方法。Al是常用合金化元素，能提高薄膜的硬度和抗高温氧化性能。北京某大学实验室在对硬韧ZrAlN ...
KRI 考夫曼射频离子源溅射制备微晶硅薄膜 参考价：360000
硅薄膜作为薄膜太阳能电池的核心材料越来越引起人们的重视, 非晶硅薄膜太阳能电池由于存在转换效率低和由 S-W 效应引起的效率衰退等问题, 而微晶硅薄膜具有较高电...
离子源 RFICP140 溅射沉积立方氮化硼薄膜 参考价：360000
立方氮化硼（cBN）由于具有高超的硬度/ 好的化学惰性/ 较好的热稳定性/ 高的热导率/ 在宽波长范围内(约从 200nm 开始) 有很好的透光性/ 可掺杂为 ...
大面积射频离子源应用于IBE 离子束蚀刻系统 参考价：360000
上海伯东美国 KRi 考夫曼公司大面积射频离子源RFICP 380, RFICP 220 成功应用于 12英寸和 8英寸 IBE离子束蚀刻机, 刻蚀均匀性（1 ...
上海伯东代理线性霍尔离子源 eH Linear 参考价：300000
上海伯东代理美国* KRI线性离子源使用 eH 400 做为模组, 能应用于宽范围的衬底, 离子源长度高达 1 米, 通过严格调整模组间的距离可以实现的均匀性和...
