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| 产地 | 进口 | 加工定制 | 否 |
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KRI 射频离子源 RFICP 220
上海伯东代理美国* KRI 射频
离子源 RFICP 220 高能量栅极离子源,适用于离子溅镀,离子沉积和离子蚀刻. 在离子束溅射工艺中, 离子源 RFICP 220 配有离子光学元件,可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 标准配置下离子源 RFICP 220 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 800 mA.
KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数：
型号 | RFICP 220 |
供电 | RF 射频感应耦合 |
- 阴极灯丝 | - |
- 射频功率 | 2 KW |
电子束 | OptiBeam™ |
- 栅极 | ,自对准 |
-栅极直径 | 22 cm |
中和器 | LFN 2000 |
电源控制 | RFICP 1510-2-10-LFNA |
配置 | - |
- 阴极中和器 | LFN2000 or MHC1000 or RFN |
- 安装 | 移动或快速法兰 |
- 高度 | 11.8' |
- 直径 | 16.1' |
- 离子束 | 聚焦 平行 散设 |
-加工材料 | 金属 电介质 半导体 |
-工艺气体 | 惰性 活性 混合 |
-安装距离 | 8-45" |
- 自动控制 | 控制4种气体 |
* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量
射频离子源 RFICP 220
射频离子源 RFICP 220
KRI 考夫曼离子源 RFICP 220 应用领域：
预清洗
表面改性
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD,
溅镀和蒸发镀膜 PC
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产
考夫曼离子源 Gridded 和霍尔离子源 Gridless. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射沉积 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源 (离子枪) 中国总代理.
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上海伯东 : 罗先生 中国台湾伯东 : 王小姐
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