详细摘要： 某半导体厂商为了提高红外器件 Z 薄膜厚度均匀性, 采用KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380辅助磁控溅射沉积设备镀制红外器件 Z 薄膜, 并采用动态沉积的...
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伯东企业（上海）有限公司
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详细摘要： 某半导体厂商为了提高红外器件 Z 薄膜厚度均匀性, 采用KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380辅助磁控溅射沉积设备镀制红外器件 Z 薄膜, 并采用动态沉积的...
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详细摘要： 河北某大学实验室在研究 IGZO 薄膜的特性试验中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 作为溅射源, 溅射沉积半导体 IGZO 薄膜.
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详细摘要： 沈阳某大学课题组采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 射频磁控溅射沉积方法制备了不同成分的 ZnNi 合金薄膜, 并研究了真空热处理对其成分及表...
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详细摘要： 某科研机构在 IFBA 芯块 ZrB2 涂层研究中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380辅助镀膜设备溅射沉积 ZrB2 涂层.
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详细摘要： 上海某大学实验室采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 , 通入氩气和氮气, 在流量比分别为 25/10、25/20、25/25、25/30 ((mL...
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详细摘要： 云南某实验室采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220射频磁控溅射沉积方法在不同温度的 Si（100）衬底和石英衬底上制备了富硅 SiNx 薄膜, 用...
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详细摘要： 国内某大学采用双 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140作为溅射源分别溅射沉积铌和锡, 再经过高温退火后获得 Nb3Sn 超导薄膜. 用这种方法所获得的超导...
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详细摘要： 某机构采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380辅助磁控溅射在柔性基材表面沉积多层 N70 隔热膜, 制备出的 N70 隔热膜具有阳光控制功能, 很好...
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详细摘要： 河南某大学研究室采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380辅助磁控溅射 WS2 薄膜, 目的研究不同沉积压力对磁控溅射 WS2 薄膜微观结构、力学性能...
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详细摘要： 钇铁石榴石铁氧体 (YIG) 是一种在室温中广泛应用的亚铁磁性材料, 由于其铁磁共振线宽窄、电阻率高、高频损耗小以及具有较高的法拉第旋光效率和较低的传播损耗, ...
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详细摘要： 华北某大学实验室采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 辅助磁控溅射沉积的方法在钕铁硼磁体表面制备了耐腐蚀性良好的铝锰合金薄膜.
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详细摘要： 电子系统在快速发展, 但是磁性器件二维化而引发与三维块材迥异的特性和制备工艺与半导体技术难以兼容的问题仍未能很好的解决. 因此 MnZn铁氧体作为一种优良磁性器...
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详细摘要： 为了研究 Ag 元素对 TiSiN 薄膜结构及性能的影响, 江苏某大学课题组采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射法制备了不同 Ag...
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详细摘要： 铱 (Ir) 是一种很好的真空紫外反射材料. 在 50100nm 的波长范围内, Ir 膜反射率比此波长范围内常用材料 Au、Pt 都高, 虽比 Os 膜反射率...
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详细摘要： 在常见的高硬度薄膜之中, 由 Ti、B、C 和 N 几种元素可以形成多种共价键材料, 如 TiB2、TiC、Ti-B-N、Ti-B-C-N 等, 这些物质具有优...
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详细摘要： 合金化是提高过渡族金属氮化物薄膜硬度及抗磨损、耐腐蚀性能的有效方法。Al是常用合金化元素，能提高薄膜的硬度和抗高温氧化性能。北京某大学实验室在对硬韧ZrAlN ...
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详细摘要： 硅薄膜作为薄膜太阳能电池的核心材料越来越引起人们的重视, 非晶硅薄膜太阳能电池由于存在转换效率低和由 S-W 效应引起的效率衰退等问题, 而微晶硅薄膜具有较高电...
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详细摘要： 立方氮化硼（cBN）由于具有高超的硬度/ 好的化学惰性/ 较好的热稳定性/ 高的热导率/ 在宽波长范围内(约从 200nm 开始) 有很好的透光性/ 可掺杂为 ...
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详细摘要： 上海伯东美国 KRi 考夫曼公司大面积射频离子源RFICP 380, RFICP 220 成功应用于 12英寸和 8英寸 IBE离子束蚀刻机, 刻蚀均匀性（1 ...
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详细摘要： 上海伯东代理有机材料热蒸镀设备针对研究等级的实验室, 推出玻璃对玻璃封装的对位压合机构. 整合涂胶系统 (UV或liquid gate) 和紫外光灯可安装于手套...
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