科研型原子层沉积系统ALD系芬兰picosun公司R-200 standard原子层沉积技术,具有的热壁设计和单独的入口，可实现无颗粒工艺，适用于晶圆，3D对象和所有纳米级特征上的多种材料。
科研型原子层沉积系统具有专有的Picoflow™技术，即使在挑战性的通孔，超高长宽比和纳米颗粒样品上也可以实现出色的均匀性。 R-200 standard原子层沉积配备了功能强大且易于更换的液态，气态和固态化学物质前体源。与手套箱，粉末室和各种原位分析系统集成，无论您现在的研究领域是什么，或以后可能成为什么样的研究领域，都可以进行高效，灵活的研究，并获得良好的结果。
科研型原子层沉积系统ALD适用于数十种应用的研发，例如IC组件，MEMS器件，显示器，LED，激光和3D对象，例如透镜，光学器件，珠宝，硬币和医疗植入物。热ALD研究工具的市场领dao者。它已成为创新驱动的公司和研究机构的shou选工具。
科研型原子层沉积系统ALD技术指标
应用领域
客户使用PICOSUN™ R系列ALD 设备在150mm和200mm（6”和8”）晶圆上所沉积薄膜厚度均匀性数据。
科研型原子层沉积系统具有专有的Picoflow™技术，即使在挑战性的通孔，超高长宽比和纳米颗粒样品上也可以实现出色的均匀性。 R-200 standard原子层沉积配备了功能强大且易于更换的液态，气态和固态化学物质前体源。与手套箱，粉末室和各种原位分析系统集成，无论您现在的研究领域是什么，或以后可能成为什么样的研究领域，都可以进行高效，灵活的研究，并获得良好的结果。
科研型原子层沉积系统ALD适用于数十种应用的研发，例如IC组件，MEMS器件，显示器，LED，激光和3D对象，例如透镜，光学器件，珠宝，硬币和医疗植入物。热ALD研究工具的市场领dao者。它已成为创新驱动的公司和研究机构的shou选工具。
科研型原子层沉积系统ALD技术指标
| 衬底尺寸和类型 | 50 – 200 mm /单片 |
| zui大可沉积直径150 mm基片，竖直放置，10-25片/批次（根据工艺） | |
| 156 mm x 156 mm 太阳能硅片 | |
| 3D 复杂表面衬底（使用Showerhead喷洒淋浴模式效果更佳） | |
| 粉末与颗粒（配备扩散增强器） | |
| 多孔，通孔，高深宽比（HAR）样品 | |
| 工艺温度 | 50 – 500 °C, 可选更高温度（真空腔体外壁不用任何冷却方式即可保持温度低于60 °C） |
| 基片传送选件 | 气动升降（手动装载） |
| 预真空室安装磁力操作机械手（Load lock ） | |
| 前驱体 | 液态、固态、气态、臭氧源 |
| 4根du立源管线，zui多加载6个前驱体源 | |
| 对蒸汽压低的前驱体(1mbar~10mbar)，用氮气等载气dao入前驱体瓶内引出 | |
| 重量 | 350kg |
| 尺寸（ W x H x D)） | 取决于选件 |
| zui小146 cm x 146 cm x 84 cm | |
| zui大189 cm x 206 cm x 111 cm | |
| 选件 | PICOFLOW™扩散增强器，集成椭偏仪，QCM， RGA，N2发生器，尾气处理器，定制设计，手套箱集 |
| 成（用于惰性气体下装载）。 | |
| 验收标准 | 标准设备验收标准为 Al2O3 工艺 |
应用领域
客户使用PICOSUN™ R系列ALD 设备在150mm和200mm（6”和8”）晶圆上所沉积薄膜厚度均匀性数据。
| 材料 | 非均匀性(1σ) |
| AI2O3 (batch) | 0.13% |
| SiO2 (batch) | 0.77% |
| TiO2 | 0.28% |
| HfO2 | 0.47% |
| ZnO | 0.94% |
| Ta2O5 | 1.00% |
| TiN | 1.10% |
| CeO2 | 1.52% |
| Pt | 3.41% |
