目录:伯东企业（上海）有限公司>>美国 KRI 考夫曼离子源>>KRI 霍尔离子源 Gridless>> 考夫曼离子源成功用于多靶磁控溅射镀膜机
| 产地 | 进口 | 加工定制 | 否 |
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因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准
某 OEM 厂商为了提高镀膜机镀膜的品质, 其为客户搭建的多靶磁控溅射镀膜机的溅射源采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380, 清洗源采用 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 3000, 真空腔体搭配的是伯东 Pfeiffer 涡轮分子泵 HiPace 2300.
KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:
射频离子源型号 | RFICP380 |
Discharge 阳极 | 射频 RFICP |
离子束流 | >1500 mA |
离子动能 | 100-1200 V |
栅极直径 | 30 cm Φ |
离子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 15-50 sccm |
通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型压力 | < 0.5m Torr |
长度 | 39 cm |
直径 | 59 cm |
中和器 | LFN 2000 |
KRI 霍尔离子源 Gridless eH 3000 技术参数:
离子源型号 | eH3000 | eH3000LO | eH3000MO |
Cathode/Neutralizer | HC | ||
电压 | 50-250V | 50-300V | 50-250V |
电流 | 20A | 10A | 15A |
散射角度 | >45 | ||
可充气体 | Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others | ||
气体流量 | 5-100sccm | ||
高度 | 6.0“ | ||
直径 | 9.7“ | ||
水冷 | 可选 | ||
F = Filament; HC = Hollow Cathode; xO2 = Optimized for O2 current
涡轮分子泵 HiPace 2300 技术参数：
型号 | 接口 DN | 抽速 l/s | 压缩比 | z高启动压强hPa | 极限压力 | 全转速气体流量hPa l/s | 启动时间 | 重量 | |||
进气口 | 排气口 | 氮气N2 | 氦气He | 氢气 H2 | 氮气N2 | 氮气N2 | hPa | 氮气N2 | min | kg | |
HiPace 2300 | 250 | 40 | 1,900 | 2,000 | 1,850 | > 1X108 | 1.8 | < 1X10–7 | 20 | 4 | 34 – 47 |
镀膜机实际运用案例：
采用多靶磁控溅射镀膜机在 UO_2 陶瓷 IFBA 芯块表面上溅射沉积 ZrB_2 涂层，与其他未引用 KRI 离子源和 Pfeiffer 分子泵的多靶磁控溅射镀膜机相比, 引进 KRI 离子源和 Pfeiffer 分子泵后, 其镀制的 ZrB_2 涂层附着力明显提高, 涂层厚度更加均匀, 晶粒更加细小, 沉积率更高.
KRI 离子源的功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.
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上海伯东: 罗先生
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