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| 产地 | 进口 | 加工定制 | 否 |
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KRI 射频离子源典型应用 IBE 离子蚀刻
上海伯东美国 KRI 射频离子源安装在日本 NS 离子蚀刻机中, 对应用于半导体后端的 6寸晶圆进行刻蚀
Hakuto (NS) 离子蚀刻机技术规格:
型号 | NS 7.5IBE | NS 10IBE | NS 20IBE-C | NS 20IBE-J |
适用范围 | 适用于科研院所,实验室研究 | 适合小规模量产使用和实验室研究 | 适合中等规模量产使用的离子刻蚀机 | 适合大规模量产使用的离子刻蚀机 |
基片尺寸 | Φ4 X 1片或 | φ8 X 1片 | φ3 inch X 8片 | Φ4 inch X 12片 |
离子源 | 8cm 或 10cm | 10cm NS离子源 | 20cm 考夫曼离子源 | 20cm 考夫曼离子源 |
上海伯东美国 KRI 考夫曼离子源 RFICP 系列, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长
RFICP 系列提供完整的套装, 套装包含离子源, 电子供应器, 中和器, 电源控制等
RFICP 系列离子源是制造精密薄膜和表面的有效工具, 有效改善靶材的致密性光透射,均匀性,附着力等
若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 欢迎联络上海伯东叶小姐,分机109
射频离子源典型应用 IBE 离子蚀刻
射频离子源典型应用 IBE 离子蚀刻
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